چگونه کسب و کار تولیدی راه بندازیم ؟

روش کنترل بردار ورودی و جایگزینی گیت ترکیب شده، برای کاهش جریان نشتی

نویسنده :شهلا امیری
تاریخ:سه شنبه 25 فروردین 1394-10:57 ق.ظ

عنوان انگلیسی مقاله: A Combined Gate Replacement and Input Vector Control Approach for Leakage Current Reduction
عنوان فارسی مقاله:  روش کنترل بردار ورودی و جایگزینی گیت ترکیب شده، برای کاهش جریان نشتی.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 36
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
کنترل بردار ورودی(IVC) تکنیک معروفی برای کاهش توان نشتی است. این روش، از اثر پشته های ترانزیستوری در دروازه های منطقی (گیت) CMOS با اعمال مینیمم بردار نشتی(MLV) به ورودی های اولیه ی مدارات ترکیبی، در طی حالت آماده بکار استفاده می کند. اگرچه، روش IVC (کنترل بردار ورودی)، برای مدارات با عمق منطقی زیاد کم تاثیر است، زیرا بردار ورودی در ورودی های اولیه تاثیر کمی بر روی نشتی گیت های درونی در سطح های منطقی بالا دارد.ما در این مقاله یک تکنیک برای غلبه بر این محدودیت ارایه می کنیم؛ بدین سان که گیت های درونی با بدترین حالت نشتی شان را با دیگر گیت های کتابخانه جایگزین می کنیم، تا عملکرد صحیح مدار را در طی حالت فعال تثبیت کنیم. این اصلاح مدار، نیاز به تغیر مراحل طراحی نداشته، ولی دری را به سوی کاهش بیشتر نشتی وقتی که روشMLV (مینیمم بردار نشتی) موثر نیست باز می کند. آنگاه ما، یک روش تقسیم و غلبه که جایگزینی گیت های را مجتمع می کند، یک الگوریتم جستجوی بهینه MLV برای مدارات درختی، و یک الگوریتم ژنتیک برای اتصال به مدارات درختی، را ارایه می کنیم. نتایج آزمایشی ما بر روی همه مدارات محک MCNC91، نشان می دهد که  1) روش جایگزینی گیت، به تنهایی می تواند 10% کاهش جریان نشتی را با روش های معروف، بدون هیچ افزایش تاخیر و کمی افزایش سطح، بدست آورد:  2) روش تقیسم و غلبه، نسبت به بهترین روش خالص IVC 24% و نسبت به روش جایگذاری نقطه کنترل موجود 12% بهتر است:  3) در مقایسه با نشتی بدست آمده از روش MLV بهینه در مدارات کوچک، روش ابتکاری جایگزینی گیت و روش تقسیم-و-غلبه، به ترتیب می توانند بطور متوسط 13% و 17% این نشتی را کاهش دهند.
کلیدواژه: جایگزینی گیت، کاهش نشتی، مینیمم بردار نشتی
1.مقدمه:
همزمان با کوچک شدن فناوری VLSI و ولتاژ منبع/آستانه، توان نشتی در مدارات CMOS امروزه دارای اهمیت بیشتر و بیشتر شده است. به عنوان مثال، در طراحی ها نشان داده شده است که توان نشتی زیرآستانه می تواند به بزرگی 42% توان کل تولید فرآیند 90 نانومتری شرکت داشت باشد [11]. بدین ترتیب، روش های زیادی اخیرا برای کاهش مصرف توان نشتی ارایه شده اند. فرآیند ولتاژ آستانه دوگانه، از وسایل با ولتاژ آستانه بیشتر، به همراه مسیرهای غیر بحرانی، استفاده می کند تا جریان نشتی را ضمن تثبیت عملکرد، کاهش دهد [16]. روش های CMOS ولتاژ آستانه چندگانه (MTCMOS)، یک وسیله با ولتاژ Vth بالا را بطور سری با مدار با Vth پایین قرار داده، و یک ترانزیستور sleep می سازد. 

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید



داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 

ترکیب الگوریتم ژنتیک و الگوریتم بهینه‌سازی ازدحام ذرات

نویسنده :شهلا امیری
تاریخ:سه شنبه 25 فروردین 1394-10:54 ق.ظ

عنوان انگلیسی مقاله: A combination of genetic algorithm and particle swarm optimization for optimal DG location and sizing in distribution systems
عنوان فارسی مقاله:  ترکیب الگوریتم ژنتیک و الگوریتم بهینه‌سازی ازدحام ذرات برای یافتن اندازه و مکان بهینۀ تولید پراکنده در سیستم‌های توزیع.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 21
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
منابع تولید پراکنده (DG) به علت تقاضای روبروی رشد انرژی دارای اهمیت زیادی در سیستم‌های توزیع می‌گردند. مکان‌ها و توانمندی‌های منابع تولید پراکنده تاثیر عمیقی در تلفات سیستم در شبکه توزیع داشته‌اند. در این مقاله، یک ترکیب نوینی از الگوریتم ژنتیک  (GA)/ بهینه‌سازی ازدحام ذرات  (PSO) برای جایابی و یافتن اندازه بهینه تولید پراکنده در سیستم‌های توزیع معرفی می‌شود. هدف این است که تلفات توان شبکه کمینه شده، تنظیم ولتاژ بهتری صورت گرفته و پایداری ولتاژ در چارچوب قیود عملکردی و امنیتی سیستم در سیستم‌های توزیع شعاعی حاصل شود. یک تحلیل تشریحی روی سیستم‌های 33 و 39 باس انجام شده است تا کارائی روش ارائه شده نشان داده شود. 
کلیدواژه: منابع تولید پراکنده، الگوریتم ژنتیک، گمارش، بهینه‌سازی ازدحام ذرات، اتلاف
1.مقدمه:
سیستم‌های توزیع معمولا جهت تسهیل کارکرد به صورت طبیعی شعاعی هستند. سیستم‌های توزیع شعاعی  (RDSs) تنها در یک نقطه که همان پست باشد تغذیه می‌شوند. این پست، توان (برق) را مراکز تولید مرکزی و از طریق شبکه انتقال دریافت می‌کند. کاربران نهائی برق نیز توان الکتریکی را از پست و از طریق سیستم توزیع شعاعی که یک شبکه پسیو است دریافت می‌کنند. لذا، عبور توان در سیستم توزیع شعاعی به صورت یک‌طرفه است. نسبت R/X بالا در خطوط توزیع منجر به افت ولتاژ بزرگ، پایداری ولتاژ کوچک و افزایش تلفات توان می‌شود. در شرایط بارگذاری بحرانی در برخی نواحی صنعتی خاص، سیستم توزیع شعاعی به علت مقدار کم شاخص پایداری ولتاژ، در بیشتر گره‌های خود یک فروپاشی ناگهانی ولتاژ را تجربه می‌کند. 

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید



داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 

تعیین مشخصه های اینورتر تراشه هاى نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى غیر-معمولی جدید

نویسنده :شهلا امیری
تاریخ:دوشنبه 24 فروردین 1394-11:55 ق.ظ

عنوان انگلیسی مقاله: Characterization for Novel Non-traditional CMOS Inverter Composed of a Junctionless NMOSFET and a Gated N+-N--P Transistor
عنوان فارسی مقاله: تعیین مشخصه های اینورتر تراشه هاى نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک بدون اتصال و یک ترانزیستور کنترل شده.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 8
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
1.مقدمه:
همزمان با ادامه توسعه ی تکنولوژی نیمه هادی ها، وسایل منطقی نیمه هادی اکسید-فلزی مکمل (CMOS)، در مدارات دیجیتال و نیز ساخت آی-سی ها در مقیاس های بسیاربزرگ (VLSI)، استفاده می شود؛ و این بدلیل مصرف توان استاتیک کم و کاهش نویز خوب آن می باشد. بدبختانه، پردازش پیچیده، هزینه های ساخت زیاد، و پویایی تطبیق نیافته، مسایل جدی وسایل منطقی CMOS سیلیکونی می باشند. همچنین، زمانی که ابعاد وسایل کوچک می شوند، به نظر می رسد که پهنای بیشتر PMOSFETها به سختی بتوانند به چگالی زیاد ساخت مدار مجتمع، دست یابند. تعدادی چند از مطالعات بر روی CMOS گزارش شدند که می توانند مشکلات گفته شده در بالا را _مثلا ساخت وسیله بر روی لایه سلیکون-روی-عایق (SOI) [1]، و روی سطح ژرمانیوم روی عایق (GeOI)[2]، و یا روی مواد III-V [3] و [4]، یا استفاده از تکنولوژی مهندسی فشار و ساخت آی-سی سه بعدی [5] _ را آسان کنند. با این حال، مسایل مربوط به جبران سازی پهنای PMOSFET و فرآیندهای پیچیده ی آن هنوز باقی است.
در دهه 1980، Yasuhisa Omura ترانزیستور گیت-جدا نوع-دوقطبی غیر مستقیم جانبی (LUBISTOR) را [6] و [7] که همانند یک دیود P-I-N کنترل شده کار می کرد، معرفی کرد. همچنین، ترانزیستورهای اثر میدان تونلی P-I-N(TFET) بخاطر مصرف توان پایینشان، تا بامروز مورد استقبال قرار گرفته اند. این به خاطر نوسان زیرآستانه ی سراشیبی (S.S.) و نسبت جریان ION/loFF بالای [8] و [9] مزایای TFETها برای مقیاس بندی ولتاژ منبع توان، می باشد. اخیرا، JL NMOSFTها [10] هم بسیار پر طرفدار بوده اند. نداشتن اتصال، ساخت آنها را به دلیل نبود اتصالات سورس/درین S/D آسانتر کرده است. به علاوه، زمانی که ابعاد وسیله کوچکتر می شوند، اثرات کانال-کوتاه (SCE) و کاهش مانع القای-درین (DIBL)، می تواند به اندازه ی کافی در JL NMOSFETها کاهش داده شود.

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید



داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 

کلیدزنی تغییر بار حامل کمکی برای تلمتری اطلاعات معکوس، با روش کاشت پزشکی

نویسنده :شهلا امیری
تاریخ:دوشنبه 24 فروردین 1394-10:57 ق.ظ

عنوان انگلیسی مقاله: Auxiliary-Carrier Load-Shift Keying for Reverse Data Telemetry from Biomedical Implants
عنوان فارسی مقاله:  کلیدزنی تغییر بار حامل کمکی برای تلمتری اطلاعات معکوس، با روش کاشت پزشکی.
دسته: پزشکی - برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 9
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
این مقاله روش جدیدی برای تلمتری اطلاعات بوسیله ابزارهای کاشتنی پزشکی به دنیای خارج را معرفی می کند(همچنین با عنوان تلمتری اطلاعات معکوس معروف است).در روش پیشنهاد شده، همزمان با انتقال توان (و شاید هم  اطلاعات) با استفاده از یک حامل اصلی به ایمپلانت، حامل دومی نیز از طریق همان لینک به ایمپلانت فرستاده می شود. حامل دوم که دارای فرکانس بالاتر و دامنه کوچکتر است، بوسیله کلیدزنی تغییر بار برای تلمتری اطلاعات معکوس پیش بینی شده است.در این فرایند، لینک بیسیم(وایرلس) بوسیله ی دو فرکانس تشدید با استفاده از پیچک های مارپیج چاپی با تزویج نزدیک بهم و شبکه های تطبیق LC، دریافت می شود.فرکانس های حامل های اصلی و کمکی،به ترتیب 1 مگاهرتز و 10 مگاهرتز با پیک دامنه ی 5 ولت و 1 ولت است.همزمان با قابلیت تامین پیوسته ی توان های تنظیم نشده بار مقاومتی 100 اهمی با بیشینه توان 80 میلی وات با پیک ولتاژ 4 ولت لینک،تلمتری اطلاعات با میزان 100 کیلوبایت بر ثانیه، بطور موفق در جهت معکوس مورد آزمون قرار می گیرد.
1.مقدمه:
میکروسیسم ها برای تعبیه در افزارهایی که نیاز به ارتباط با دنیای بیرون بوسیله ی اتصال بیسیم دارند،طراحی شده اند. بطور کل،ارتباط بیسیم به میکروسیستم های پزشکی قابل کاشت،برای تلمتری اطلاعات به الکترونیک کاشته شده و نیز برای تبادل اطلاعات دوطرفه میان جای تعبیه شده و دنیای خارج استفاده می شود.[1]
دو روش برای انتقال اطلاعات بیسیم از میکروسیستم های قابل کاشت به دنیای بیرون وجود دارد.

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید



داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 

طیف بهره-اشباع شده نامتقارن در تقویت کننده های پارامتریک فیبر نوری

نویسنده :شهلا امیری
تاریخ:دوشنبه 24 فروردین 1394-10:54 ق.ظ

عنوان انگلیسی مقاله: Asymmetric gain-saturated spectrum in fiber optical parametric amplifiers
عنوان فارسی مقاله: طیف بهره-اشباع شده نامتقارن در تقویت کننده های پارامتریک فیبر نوری.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 21
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
ما هم با آزمایش و هم بصورت محاسباتی، یک عدم تقارن طیفی ناخواسته،در طیف بهره-اشباع شده ی تقویت کننده های پارامتریک فیبر نوری تک-پمپ را اثبات می کنیم. حاصل اندرکنش میان ترکیب چهار موج مرتبه-بالاتر و امواج پراکنده کننده تابش شده به عنوان اثری از تجزیه مرتبه سوم -بسته به ناتنظیمی آن با توجه به  پمپ-  بر انتقال انرژی به سیگنال تاثیر می گذارد،و تقارن بهره ی مورد انتظار از ملاحظات تطبیق-فاز را،در تقویت کننده ی اشباع نشده ازبین می برد. نشان داده شده است که ویژگی عدم تقارن طیف اشباع شده،مخصوصن به مشخصه های پاشندگی تقویت کننده بستگی دارد و ازدیاد محلی را برای مقادیر تجزیه معین نشان می دهد. 
1.مقدمه:
 معمولا از تقویت پارامتری نوری،مبنی بر ترکیب چهار-موجی،و تکیه بر ویژگی غیرخطی بودن مرتبه سوم فوق سریع فیبرهای نوری،برای پردازش سیگنال تمام اپتیک –مانند تولید پالس،تبدیل فرکانس،بازتولید دامنه و غیره [1-3]- استفاده می شود. پاسخ بهره ی سریع تقویت کننده های پارامتری فیبر نوری اشباع شده(FOPA)، شدت نوسان سیگنال ورودی را کاهش می دهد[2,4]. چنین کاربردی،نیازمند است که تقویت کننده در حالت اشباع شده ی خود کار کند و بنابراین، به این نیاز برای رفتار مناسب طیف های بهره ی اشباع شده ی FOPAها، تکیه می کند. FOPAهای تک-پمپ که در حالت بهره ی خطی کار می کنند،تنها یک محصول FWM(ترکیب چهار موج) عمده دارند،که به طور متقارن با فرکانس پمپ قرار دارد. 

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید



داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 


  • تعداد صفحات :11
  • 1  
  • 2  
  • 3  
  • 4  
  • 5  
  • 6  
  • 7  
  • ...  


Admin Logo
themebox Logo



شبکه اجتماعی فارسی کلوب | Buy Mobile Traffic | سایت سوالات